目前全球唯一製造EUV光刻機的廠商是荷蘭ASML公司。（圖片來源：EMMANUEL DUNAND/AFP via Getty Images）
【看中國2025年12月17日訊】（看中國記者路克編譯/綜合）路透社獲悉，在深圳一處安保嚴格的實驗設施內，中國科研人員正在測試一臺極紫外光（EUV）光刻機原型。該設備於2025年初完成組裝，目前仍處於驗證階段，尚未實現晶元量產。
據兩名瞭解項目情況的人士透露，該原型由一支包括前阿斯麥（ASML）工程師在內的團隊參與研發，部分技術路徑參考並拆解了ASML早期EUV系統。EUV光刻機是先進半導體製造的關鍵設備，通過極紫外光在矽片上刻蝕極細電路，目前成熟技術仍由西方企業掌握。
消息人士稱，該設備已能夠產生極紫外光，但尚未製造出可用晶元，距離商業化仍存在較大技術與工程障礙。
技術驗證取得進展，但關鍵系統仍明顯落後
2024年4月，阿斯麥首席執行官傅凱（Christophe Fouquet）曾表示，中國在EUV領域仍需「很多年」才能取得實質性突破。路透社此次披露的原型顯示，中國在部分環節上推進速度快於部分分析人士此前的預期，但整體水平仍與ASML現役設備存在明顯差距。
兩名知情人士稱，中國官方目標是到2028年嘗試用該原型製造晶元，但項目內部更為謹慎，認為2030年前後才有可能實現有限成果，且不確定性較高。
其中最大的瓶頸在於高精度光學系統。ASML核心供應商、德國蔡司（Carl Zeiss AG）提供的反射鏡系統長期被視為EUV技術中最難複製的部分。中國目前仍在嘗試替代方案，成像精度和穩定性尚未達到工業級標準。
國家主導項目強調保密性，但高度依賴外部技術積累
該EUV項目是中國近年來推動半導體國產化戰略的一部分。儘管整體目標早已公開，但深圳項目本身長期處於高度保密狀態。相關工作被納入國家層面的科技發展規劃，由中央科技委員會統籌，負責人為丁薛祥（Ding Xuexiang）。
多名知情人士指出，該項目在很大程度上依賴曾在海外企業工作的工程師經驗。部分參與者為已退休或即將退休的華裔前ASML員工，他們對EUV系統結構和歷史演進較為熟悉。
為降低外界關注，項目內部採取嚴格的身份與信息隔離措施。消息人士稱，部分技術人員在工作期間使用化名，且對外界完全保密。
路透社查閱的政策文件顯示，中國自2019年起加大對海外半導體人才的引進力度，提供高額簽約獎金和生活補貼。但分析人士指出，這種方式在短期內有助於技術理解，卻難以複製ASML數十年形成的完整產業體系。
華為參與協調，美國與盟友同步加固技術防線
在國內協調層面，華為被認為參與了該項目的多個環節，包括設備、設計與應用銜接。多名瞭解華為運作情況的人士稱，公司內部對相關工作的知情範圍被刻意限制，團隊之間相互隔離，以降低信息外泄風險。
與此同時，美國及其盟友正通過制度化合作強化自身技術優勢。《新聞週刊》報導，美國聯合多國啟動「硅基和平」（Pax Silica）計畫，旨在穩固人工智慧、先進晶元和關鍵礦產供應鏈，降低對單一國家的依賴。
美國國務院經濟事務副國務卿赫爾伯格（Jacob Helberg）將該計畫描述為「可信夥伴之間的長期協調機制」。參與國家包括日本、韓國、荷蘭、英國、以色列、澳大利亞等，臺灣與歐盟等則提供技術和政策層面的支持。
分析認為，該聯盟反映出西方國家對中國在半導體領域持續追趕的結構性回應。儘管中國在部分技術節點上取得進展，但在EUV系統整體成熟度、可靠性與規模化能力方面，仍與現有領先廠商存在顯著差距。
